CR5223可直接替換OB2353,CR5223是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式反激PWM控制芯片,它適用于18W以內(nèi)的離線式反激開(kāi)關(guān)電源,具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。
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CR5223可直接替換OB2353
概述:
CR5223是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式反激PWM控制芯片,它適用于18W以內(nèi)的離線式反激開(kāi)關(guān)電源,具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。設(shè)計(jì)了完善的保護(hù)功能,包括:軟啟動(dòng)、過(guò)溫保護(hù)、VDD欠壓鎖定、過(guò)壓保護(hù)及箝位、逐周期電流限制、過(guò)載保護(hù)和輸出驅(qū)動(dòng)高箝位等,特別對(duì)音頻噪聲和FM干擾進(jìn)行了處理。芯片內(nèi)置的頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。CR522X選型參照下表:
產(chǎn)品型號(hào) |
待機(jī)功耗 |
適用功率* |
封裝 |
CR5221 |
<250mW |
≤8W |
DIP-8 |
CR5223 |
<250mW |
≤7W |
SOP-8 |
CR5224 |
<250mW |
≤12W |
DIP-8 |
CR5228 |
<250mW |
≤15W |
DIP-8 |
CR5229 |
<250mW |
≤18W |
DIP-8 |
特征:
l 內(nèi)置600V/650V功率開(kāi)關(guān)MOSFET
l 頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)以達(dá)到更好的EMI性能
l 過(guò)溫保護(hù)
l 工作無(wú)音頻噪音
l 內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)力